卤素灯RTP退火炉是一款6寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制**，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择.
卤素灯RTP退火炉技术特色：
• 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿
• 红外卤素管灯加热
• 极其优异的加热温度**性与均匀性
• 快速数字PID温度控制
• 不锈钢冷壁真空腔室
• 系统稳定性好
• 结构紧凑，小型桌面系统
• 带触摸屏的PC控制
• 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr
• *高3路气体（MFC控制）
• 没有交叉污染，没有金属污染
真实基底温度测量技术介绍:
如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。
卤素灯RTP退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，接触测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。
技术参数：
| 基片尺寸 | 6英寸 |
| 基片基座 | 石英针（可选配SiC涂层石墨基座） |
| 温度范围 | 150-1250℃ |
| 加热速率 | 10-150℃/S |
| 温度均匀性 | ≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor) |
| 温度控制精度 | ≤ ±3℃ |
| 温度重复性 | ≤ ±3℃ |
| 真空度 | 5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr |
| 气路供应 | 标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（*多可选3路） |
| 退火持续时间 | ≥35min@1250℃ |
| 温度控制 | 快速数字PID控制 |
| 尺寸 | 870mm*650mm*620mm |
基片类型:
• Silicon wafers硅片
• Compound semiconductor wafers化合物半导体基片
• GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片
• Silicon carbide wafers碳化硅基片
• Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片
• Glass substrates玻璃基片
• Metals金属
• Polymers聚合物
• Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座
卤素灯RTP退火炉应用领域：
离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等
