电源: 5V(典型值),12V(zui大值)
工作温度: -40℃～ +120℃
贮存温度: -50℃ ～+125℃
输出电压: 60～140mV(at 5V)
参考精度: ±0.2% F.S./℃
温度滞后: ＜±0.05% F.S.
压力滞后: ＜±0.025% F.S.
长期漂移: ＜±0.05% F.S./年
膜片材质: 316L/ 哈氏合金C
过程连接: M20*1.5(F)
精确的充灌液技术。
双膜片过载结构。
高稳定性：<±0.05%F.S./年
极低的压力和温度滞后。
内置温度传感器。
可选多种隔离膜片材质，广泛满足防腐要求。
体积精巧，易于封装。
过程压力通过隔离膜片和填充液传递到单晶硅敏感元件，受力时惠斯登电桥失衡电阻值发生变化，利用电流激励，转换成与差压值成线性变化电压值输出。
