Vds过高
Vds的应力要求：
恶劣条件(最高输入电压，负载最大，环境温度最高，电源启动或短路测试)下，Vds的最大值不应超过额定规格的90%。
Vds降低的办法：
1)减小平台电压：减小变压器原副边圈数比；
2)减小尖峰电压：
a.减小漏感，变压器漏感在开关管开通是存储能量是产生这个尖峰电压的主要原因，减小漏感可以减小尖峰电压；
b.调整吸收电路：
① 使用TVS管；
② 使用较慢速的二极管，其本身可以吸收一定的能量(尖峰)；
③ 插入阻尼电阻可以使得波形更加平滑，利于减小EMI。
IC温度过高
原因及解决办法：
1)内部的MOSFET损耗太大：
开关损耗太大，变压器的寄生电容太大，造成MOSFET的开通、关断电流与Vds的交叉面积大。解决办法：增加变压器绕组的距离，以减小层间电容，如同绕组分多层绕制时，层间加入一层绝缘胶带(层间绝缘) 。
2)散热不良：
IC的很大一部分热量依靠引脚导到PCB及其上的铜箔，应尽量增加铜箔的面积并上更多的焊锡
3)IC周围空气温度太高：
IC应处于空气流动畅顺的地方，应远离零件温度太高的零件。
空载、轻载不能启动
现象：
空载、轻载不能启动，Vcc反复从启动电压和关断电压来回跳动。
原因：空载、轻载时，Vcc绕组的感应电压太低，而进入反复重启动状态。
解决办法：增加Vcc绕组圈数，减小Vcc限流电阻，适当加上假负载。如果增加Vcc绕组圈数，减小Vcc限流电阻后，重载时Vcc变得太高，请参照稳定Vcc的办法。
启动后不能加重载
原因及解决办法：1)Vcc在重载时过高
重载时，Vcc绕组感应电压较高,使Vcc过高并达到IC的OVP点时，将触发IC的过压保护，引起无输出。如果电压进一步升高，超过IC的承受能力，IC将会损坏。
2)内部限流被触发
a.限流点太低
重载、容性负载时，如果限流点太低，流过MOSFET的电流被限制而不足，使得输出不足。解决办法是增大限流脚电阻，提高限流点。
b.电流上升斜率太大
上升斜率太大，电流的峰值会更大，容易触发内部限流保护。解决办法是在不使变压器饱和的前提下提高感量。
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